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PMF63UNE-HXY
IC

SOT-323

可供量大可议

PMF63UNE-HXY

这款N型场效应管, 适用于高效能电子系统。 其参数为:电流2A, 电压20V, 内阻典型值49mΩ, 栅源极电压VGS为12V。 它以低内阻、高电流承载能力为特点, 确保了系统的稳定运行。 广泛应用于电源管理、信号放大等领域, 提升能效与系统性能。 选择此款元器件, 可助力您的设计实现更高性能与可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-323

库存

60

货期

现货

PMF63UNE-HXY参数

封装SOT-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存60

PMF63UNE-HXY概述

这款N型场效应管, 适用于高效能电子系统。 其参数为:电流2A, 电压20V, 内阻典型值49mΩ, 栅源极电压VGS为12V。 它以低内阻、高电流承载能力为特点, 确保了系统的稳定运行。 广泛应用于电源管理、信号放大等领域, 提升能效与系统性能。 选择此款元器件, 可助力您的设计实现更高性能与可靠性。

PMF63UNE-HXY特性

暂无产品特性。

PMF63UNE-HXY应用领域

暂无应用领域。

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