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PMEG6030ELP-QX-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

PMEG6030ELP-QX-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为60V, 正向压降为0.7V, 反向漏电流为100μA, 具备较低的导通损耗与良好的反向阻断能力。 其非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A, 能够应对短时高电流冲击。 此类参数组合使其适用于开关电源整流、极性保护、高频续流以及对效率和瞬态响应有要求的电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

145

货期

现货

PMEG6030ELP-QX-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存145

PMEG6030ELP-QX-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为60V, 正向压降为0.7V, 反向漏电流为100μA, 具备较低的导通损耗与良好的反向阻断能力。 其非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A, 能够应对短时高电流冲击。 此类参数组合使其适用于开关电源整流、极性保护、高频续流以及对效率和瞬态响应有要求的电子电路中。

PMEG6030ELP-QX-HXY特性

暂无产品特性。

PMEG6030ELP-QX-HXY应用领域

暂无应用领域。

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