PMEG6030ELP-QX-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
PMEG6030ELP-QX-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为60V, 正向压降为0.7V, 反向漏电流为100μA, 具备较低的导通损耗与良好的反向阻断能力。 其非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A, 能够应对短时高电流冲击。 此类参数组合使其适用于开关电源整流、极性保护、高频续流以及对效率和瞬态响应有要求的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
145
货期
现货
PMEG6030ELP-QX-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 145 |
PMEG6030ELP-QX-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为60V, 正向压降为0.7V, 反向漏电流为100μA, 具备较低的导通损耗与良好的反向阻断能力。 其非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A, 能够应对短时高电流冲击。 此类参数组合使其适用于开关电源整流、极性保护、高频续流以及对效率和瞬态响应有要求的电子电路中。
PMEG6030ELP-QX-HXY特性
暂无产品特性。
PMEG6030ELP-QX-HXY应用领域
暂无应用领域。
