PMEG6020ELRX-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
PMEG6020ELRX-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景, 常见于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
160
货期
现货
PMEG6020ELRX-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 160 |
PMEG6020ELRX-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为2A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景, 常见于电源转换、适配器及各类电子设备中的续流与保护电路。
PMEG6020ELRX-HXY特性
暂无产品特性。
PMEG6020ELRX-HXY应用领域
暂无应用领域。
