PMEG6010CEH-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
PMEG6010CEH-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为60V。 在导通状态下, 其正向压降典型值为0.7V, 有助于降低功耗; 反向漏电流为200μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及低压高频电路中, 具备较快的开关响应能力与较低的热损耗。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
110
货期
现货
PMEG6010CEH-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 110 |
PMEG6010CEH-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为60V。 在导通状态下, 其正向压降典型值为0.7V, 有助于降低功耗; 反向漏电流为200μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及低压高频电路中, 具备较快的开关响应能力与较低的热损耗。
PMEG6010CEH-HXY特性
暂无产品特性。
PMEG6010CEH-HXY应用领域
暂无应用领域。
