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PMEG40T50EPX-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

PMEG40T50EPX-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为5A, 最大反向电压VR为40V。 其正向压降VF典型值为0.55V, 有助于实现较低的导通损耗; 反向漏电流IR为500μA, 在正常工作条件下维持合理的阻断性能。 器件具备150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于高频整流、开关电源次级侧、便携式设备电源管理以及需要高效能和快速响应的低压电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

80

货期

现货

PMEG40T50EPX-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存80

PMEG40T50EPX-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为5A, 最大反向电压VR为40V。 其正向压降VF典型值为0.55V, 有助于实现较低的导通损耗; 反向漏电流IR为500μA, 在正常工作条件下维持合理的阻断性能。 器件具备150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于高频整流、开关电源次级侧、便携式设备电源管理以及需要高效能和快速响应的低压电子电路中。

PMEG40T50EPX-HXY特性

暂无产品特性。

PMEG40T50EPX-HXY应用领域

暂无应用领域。

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