PMEG40T50EPX-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
PMEG40T50EPX-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为5A, 最大反向电压VR为40V。 其正向压降VF典型值为0.55V, 有助于实现较低的导通损耗; 反向漏电流IR为500μA, 在正常工作条件下维持合理的阻断性能。 器件具备150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于高频整流、开关电源次级侧、便携式设备电源管理以及需要高效能和快速响应的低压电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
80
货期
现货
PMEG40T50EPX-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 80 |
PMEG40T50EPX-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流IF为5A, 最大反向电压VR为40V。 其正向压降VF典型值为0.55V, 有助于实现较低的导通损耗; 反向漏电流IR为500μA, 在正常工作条件下维持合理的阻断性能。 器件具备150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力, 适用于高频整流、开关电源次级侧、便携式设备电源管理以及需要高效能和快速响应的低压电子电路中。
PMEG40T50EPX-HXY特性
暂无产品特性。
PMEG40T50EPX-HXY应用领域
暂无应用领域。
