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PMEG40T30ERX-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

PMEG40T30ERX-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)仅为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有较高要求的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

140

货期

现货

PMEG40T30ERX-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存140

PMEG40T30ERX-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)仅为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有较高要求的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

PMEG40T30ERX-HXY特性

暂无产品特性。

PMEG40T30ERX-HXY应用领域

暂无应用领域。

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