PMEG40T30ERX-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
PMEG40T30ERX-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)仅为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有较高要求的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
140
货期
现货
PMEG40T30ERX-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 140 |
PMEG40T30ERX-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)仅为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有较高要求的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。
PMEG40T30ERX-HXY特性
暂无产品特性。
PMEG40T30ERX-HXY应用领域
暂无应用领域。
