PMEG40T30EPX-HXY
IC
SMAF
可供量大可议
PMEG40T30EPX-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)最大为500μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景, 凭借较低的导通损耗和快速恢复特性, 可提升系统整体能效与稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMAF
库存
120
货期
现货
PMEG40T30EPX-HXY参数
| 封装 | SMAF |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 120 |
PMEG40T30EPX-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)最大为500μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景, 凭借较低的导通损耗和快速恢复特性, 可提升系统整体能效与稳定性。
PMEG40T30EPX-HXY特性
暂无产品特性。
PMEG40T30EPX-HXY应用领域
暂无应用领域。
