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PMEG40T30EPX-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

PMEG40T30EPX-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)最大为500μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景, 凭借较低的导通损耗和快速恢复特性, 可提升系统整体能效与稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

120

货期

现货

PMEG40T30EPX-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存120

PMEG40T30EPX-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)最大为500μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景, 凭借较低的导通损耗和快速恢复特性, 可提升系统整体能效与稳定性。

PMEG40T30EPX-HXY特性

暂无产品特性。

PMEG40T30EPX-HXY应用领域

暂无应用领域。

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