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PMEG4010CEGWJ-HXY
IC

SOD-123

可供量大可议

PMEG4010CEGWJ-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.6V, 有助于在导通状态下减少功耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在高频或高温环境下仍能维持基本性能。 器件可承受峰值达9A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、开关模式电源中的续流保护、信号解调以及各类低电压、高效率要求的电子电路中, 表现出较快的开关响应与较低的热损耗。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123

库存

20

货期

现货

PMEG4010CEGWJ-HXY参数

封装SOD-123
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存20

PMEG4010CEGWJ-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.6V, 有助于在导通状态下减少功耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在高频或高温环境下仍能维持基本性能。 器件可承受峰值达9A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、开关模式电源中的续流保护、信号解调以及各类低电压、高效率要求的电子电路中, 表现出较快的开关响应与较低的热损耗。

PMEG4010CEGWJ-HXY特性

暂无产品特性。

PMEG4010CEGWJ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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