PMEG4010CEGWJ-HXY
IC
SOD-123
可供量大可议
PMEG4010CEGWJ-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.6V, 有助于在导通状态下减少功耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在高频或高温环境下仍能维持基本性能。 器件可承受峰值达9A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、开关模式电源中的续流保护、信号解调以及各类低电压、高效率要求的电子电路中, 表现出较快的开关响应与较低的热损耗。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123
库存
20
货期
现货
PMEG4010CEGWJ-HXY参数
| 封装 | SOD-123 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 20 |
PMEG4010CEGWJ-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和40V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.6V, 有助于在导通状态下减少功耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在高频或高温环境下仍能维持基本性能。 器件可承受峰值达9A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、开关模式电源中的续流保护、信号解调以及各类低电压、高效率要求的电子电路中, 表现出较快的开关响应与较低的热损耗。
PMEG4010CEGWJ-HXY特性
暂无产品特性。
PMEG4010CEGWJ-HXY应用领域
暂无应用领域。
