PMEG4010BEA-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
PMEG4010BEA-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.6V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)最大值为1000μA。 器件能承受高达9A的峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、高频开关、续流保护及低电压输出场合, 具备较快的开关速度和良好的热稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
140
货期
现货
PMEG4010BEA-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 140 |
PMEG4010BEA-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.6V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)最大值为1000μA。 器件能承受高达9A的峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于电源整流、高频开关、续流保护及低电压输出场合, 具备较快的开关速度和良好的热稳定性。
PMEG4010BEA-HXY特性
暂无产品特性。
PMEG4010BEA-HXY应用领域
暂无应用领域。
