PMEG4002EB-HXY
IC
SOD-523
可供量大可议
PMEG4002EB-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为0.2A, 最大反向重复峰值电压达40V。 其正向压降典型值为0.54V, 在导通状态下功耗较低; 在反向偏置条件下, 漏电流为90μA, 体现出良好的隔离性能。 器件可承受峰值达1A的非重复性浪涌电流(IFSM), 适用于低电压、高效率要求的整流、信号解调及电源极性保护等电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-523
库存
480
货期
现货
PMEG4002EB-HXY参数
| 封装 | SOD-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 480 |
PMEG4002EB-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为0.2A, 最大反向重复峰值电压达40V。 其正向压降典型值为0.54V, 在导通状态下功耗较低; 在反向偏置条件下, 漏电流为90μA, 体现出良好的隔离性能。 器件可承受峰值达1A的非重复性浪涌电流(IFSM), 适用于低电压、高效率要求的整流、信号解调及电源极性保护等电子电路中。
PMEG4002EB-HXY特性
暂无产品特性。
PMEG4002EB-HXY应用领域
暂无应用领域。
