PMEG3010CEJ-HXY
IC
SOD-323
可供量大可议
PMEG3010CEJ-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的平均正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)最大为1000μA, 适用于对效率和热管理有一定要求的电路。 器件可承受峰值正向浪涌电流(IFSM)达1.5A, 适合用于电源整流、信号检波及低压高频应用场合, 表现出良好的开关特性和稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
460
货期
现货
PMEG3010CEJ-HXY参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 460 |
PMEG3010CEJ-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的平均正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)最大为1000μA, 适用于对效率和热管理有一定要求的电路。 器件可承受峰值正向浪涌电流(IFSM)达1.5A, 适合用于电源整流、信号检波及低压高频应用场合, 表现出良好的开关特性和稳定性。
PMEG3010CEJ-HXY特性
暂无产品特性。
PMEG3010CEJ-HXY应用领域
暂无应用领域。
