库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
PMEG3010CEJ-HXY
IC

SOD-323

可供量大可议

PMEG3010CEJ-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的平均正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)最大为1000μA, 适用于对效率和热管理有一定要求的电路。 器件可承受峰值正向浪涌电流(IFSM)达1.5A, 适合用于电源整流、信号检波及低压高频应用场合, 表现出良好的开关特性和稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

460

货期

现货

PMEG3010CEJ-HXY参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存460

PMEG3010CEJ-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的平均正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 在导通状态下功耗较低; 反向漏电流(IR)最大为1000μA, 适用于对效率和热管理有一定要求的电路。 器件可承受峰值正向浪涌电流(IFSM)达1.5A, 适合用于电源整流、信号检波及低压高频应用场合, 表现出良好的开关特性和稳定性。

PMEG3010CEJ-HXY特性

暂无产品特性。

PMEG3010CEJ-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件