PMEG2010EH-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
PMEG2010EH-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为20V, 典型正向压降为0.55V, 具备较低的导通损耗和较快的开关响应。 其非重复峰值正向浪涌电流可达30A, 适用于低压电源整流、高频信号检波、电池供电设备中的极性保护以及各类对效率和热性能有要求的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
170
货期
现货
PMEG2010EH-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 170 |
PMEG2010EH-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为20V, 典型正向压降为0.55V, 具备较低的导通损耗和较快的开关响应。 其非重复峰值正向浪涌电流可达30A, 适用于低压电源整流、高频信号检波、电池供电设备中的极性保护以及各类对效率和热性能有要求的电子电路中。
PMEG2010EH-HXY特性
暂无产品特性。
PMEG2010EH-HXY应用领域
暂无应用领域。
