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PMEG2010EH-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

PMEG2010EH-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为20V, 典型正向压降为0.55V, 具备较低的导通损耗和较快的开关响应。 其非重复峰值正向浪涌电流可达30A, 适用于低压电源整流、高频信号检波、电池供电设备中的极性保护以及各类对效率和热性能有要求的电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

170

货期

现货

PMEG2010EH-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存170

PMEG2010EH-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为20V, 典型正向压降为0.55V, 具备较低的导通损耗和较快的开关响应。 其非重复峰值正向浪涌电流可达30A, 适用于低压电源整流、高频信号检波、电池供电设备中的极性保护以及各类对效率和热性能有要求的电子电路中。

PMEG2010EH-HXY特性

暂无产品特性。

PMEG2010EH-HXY应用领域

暂无应用领域。

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