库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
PMEG100T20ELR-QX-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

PMEG100T20ELR-QX-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达100V。 在正常工作条件下, 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 反向漏电流(IR)不超过20μA。 器件具备较强的瞬态耐受能力, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达50A。 适用于对导通损耗和开关速度敏感的整流、续流及箝位电路, 常见于开关电源、适配器及各类消费类电子设备中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

130

货期

现货

PMEG100T20ELR-QX-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存130

PMEG100T20ELR-QX-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达100V。 在正常工作条件下, 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 反向漏电流(IR)不超过20μA。 器件具备较强的瞬态耐受能力, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达50A。 适用于对导通损耗和开关速度敏感的整流、续流及箝位电路, 常见于开关电源、适配器及各类消费类电子设备中。

PMEG100T20ELR-QX-HXY特性

暂无产品特性。

PMEG100T20ELR-QX-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件