PMEG100T20ELR-QX-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
PMEG100T20ELR-QX-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达100V。 在正常工作条件下, 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 反向漏电流(IR)不超过20μA。 器件具备较强的瞬态耐受能力, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达50A。 适用于对导通损耗和开关速度敏感的整流、续流及箝位电路, 常见于开关电源、适配器及各类消费类电子设备中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
130
货期
现货
PMEG100T20ELR-QX-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 130 |
PMEG100T20ELR-QX-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达100V。 在正常工作条件下, 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 反向漏电流(IR)不超过20μA。 器件具备较强的瞬态耐受能力, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达50A。 适用于对导通损耗和开关速度敏感的整流、续流及箝位电路, 常见于开关电源、适配器及各类消费类电子设备中。
PMEG100T20ELR-QX-HXY特性
暂无产品特性。
PMEG100T20ELR-QX-HXY应用领域
暂无应用领域。
