PMDXB600UNEZ
IC
DFN1010-6
可供量大可议
PMDXB600UNEZ
场效应管(MOSFET) 265mW 20V 600mA 2个N沟道
品牌
Nexperia
封装
DFN1010-6
库存
15,910
货期
现货
PMDXB600UNEZ参数
| 封装 | DFN1010-6 |
|---|---|
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 470mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 输入电容(Ciss) | 21.3pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15,910 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 265mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF |
PMDXB600UNEZ概述
场效应管(MOSFET) 265mW 20V 600mA 2个N沟道
PMDXB600UNEZ特性
暂无产品特性。
PMDXB600UNEZ应用领域
暂无应用领域。