PMDPB70EN, 115-VB
IC
DFN-6(2X2)-B
可供量大可议
PMDPB70EN, 115-VB
台积电流片， 长电科技封装； DFN6(2X2)-B； N+N—Channel沟道； 30V； 5.8A； RDS(ON)=22(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=1.7V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
DFN-6(2X2)-B
库存
5
货期
现货
PMDPB70EN, 115-VB参数
| 封装 | DFN-6(2X2)-B |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
PMDPB70EN, 115-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN6(2X2)-B； N+N—Channel沟道； 30V； 5.8A； RDS(ON)=22(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=1.7V； 采用Trench技术
PMDPB70EN, 115-VB特性
暂无产品特性。
PMDPB70EN, 115-VB应用领域
暂无应用领域。