PJW4N06A
IC
SOT-223
可供量大可议
PJW4N06A
特性：RDS(ON)， VGS@10V， I@3.0A < 100mΩ。 RDS(ON)， VGS@4.5V， I@2.0A < 110mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品。 符合 IEC61249 标准的绿色模塑料（无卤素）
品牌
PANJIT
封装
SOT-223
库存
740
货期
现货
PJW4N06A参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | PANJIT(强茂) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 740 |
PJW4N06A概述
特性：RDS(ON)， VGS@10V， I@3.0A < 100mΩ。 RDS(ON)， VGS@4.5V， I@2.0A < 110mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品。 符合 IEC61249 标准的绿色模塑料（无卤素）
PJW4N06A特性
暂无产品特性。
PJW4N06A应用领域
暂无应用领域。