PJMT23DFA
IC
DFN2x2A-6L
可供量大可议
PJMT23DFA
特性：小表面贴装封装。 ESD保护（HBM）高达2KV。 N沟道MOSFET， VDS = 20V， ID = 0.8A， RDS(on) < 300mΩ（VGS = 4.5V时）。 PNP晶体管， VCBO = -40V， VCEO = -25V。 应用：锂电池充电。 便携式设备中的其他电源管理
品牌
PJSEMI
封装
DFN2x2A-6L
库存
500
货期
现货
PJMT23DFA参数
| 封装 | DFN2x2A-6L |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 500 |
PJMT23DFA概述
特性：小表面贴装封装。 ESD保护（HBM）高达2KV。 N沟道MOSFET， VDS = 20V， ID = 0.8A， RDS(on) < 300mΩ（VGS = 4.5V时）。 PNP晶体管， VCBO = -40V， VCEO = -25V。 应用：锂电池充电。 便携式设备中的其他电源管理
PJMT23DFA特性
暂无产品特性。
PJMT23DFA应用领域
暂无应用领域。