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PJMG60P60TE
IC

TO-252

可供量大可议

PJMG60P60TE

1个P沟道, VDS=60V ID=60A, PD:100W RDS(ON)<16mΩ@Vgs=10V

品牌

PJSEMI

封装

TO-252

库存

22

货期

现货

PJMG60P60TE参数

封装TO-252
品牌PJSEMI(平晶微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存22

PJMG60P60TE概述

1个P沟道, VDS=60V ID=60A, PD:100W RDS(ON)<16mΩ@Vgs=10V

PJMG60P60TE特性

暂无产品特性。

PJMG60P60TE应用领域

暂无应用领域。

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