PJMG200N60DN
IC
PDFN-8L(5x6)
可供量大可议
PJMG200N60DN
N沟道增强型， SGT（屏蔽栅沟槽型）, VDS=60V ID=160A RDS(ON)<2.5mΩ@Vgs=10V, RDS(ON)<3.3mΩ@Vgs=4.5V, 通过 100% 雪崩测试
品牌
PJSEMI
封装
PDFN-8L(5x6)
库存
200
货期
现货
PJMG200N60DN参数
| 封装 | PDFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
PJMG200N60DN概述
N沟道增强型， SGT（屏蔽栅沟槽型）, VDS=60V ID=160A RDS(ON)<2.5mΩ@Vgs=10V, RDS(ON)<3.3mΩ@Vgs=4.5V, 通过 100% 雪崩测试
PJMG200N60DN特性
暂无产品特性。
PJMG200N60DN应用领域
暂无应用领域。