PJMG12H90HNDN
IC
PDFN-8L(5x6)
可供量大可议
PJMG12H90HNDN
N沟道增强型， SGT（屏蔽栅沟槽型）, VDS=120V ID=90A RDS(ON)<8.5mΩ@Vgs=10V, 雪崩测试
品牌
PJSEMI
封装
PDFN-8L(5x6)
库存
170
货期
现货
PJMG12H90HNDN参数
| 封装 | PDFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 170 |
PJMG12H90HNDN概述
N沟道增强型， SGT（屏蔽栅沟槽型）, VDS=120V ID=90A RDS(ON)<8.5mΩ@Vgs=10V, 雪崩测试
PJMG12H90HNDN特性
暂无产品特性。
PJMG12H90HNDN应用领域
暂无应用领域。