PJMG10H60NDN
IC
PDFN-8L(5x6)
可供量大可议
PJMG10H60NDN
N沟道增强型， SGT（屏蔽栅沟槽型）， VDS=100V ID=60A RDS(ON)<13m@Vgs=10V, RDS(ON)<17mΩ@Vgs=4.5V, 通过 100% 雪崩测试
品牌
PJSEMI
封装
PDFN-8L(5x6)
库存
35
货期
现货
PJMG10H60NDN参数
| 封装 | PDFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 35 |
PJMG10H60NDN概述
N沟道增强型， SGT（屏蔽栅沟槽型）， VDS=100V ID=60A RDS(ON)<13m@Vgs=10V, RDS(ON)<17mΩ@Vgs=4.5V, 通过 100% 雪崩测试
PJMG10H60NDN特性
暂无产品特性。
PJMG10H60NDN应用领域
暂无应用领域。