PJMG10H35PDN
IC
PDFN-8L(5x6)
可供量大可议
PJMG10H35PDN
P沟道增强型， SGT（屏蔽栅沟槽型）, VDS=-100V ID=-35A RDS(ON)<46.3mΩ@Vgs=-10V, RDS(ON)<58.3mΩ@Vgs=-4.5V, 通过 100% 雪崩测试
品牌
PJSEMI
封装
PDFN-8L(5x6)
库存
1
货期
现货
PJMG10H35PDN参数
| 封装 | PDFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
PJMG10H35PDN概述
P沟道增强型， SGT（屏蔽栅沟槽型）, VDS=-100V ID=-35A RDS(ON)<46.3mΩ@Vgs=-10V, RDS(ON)<58.3mΩ@Vgs=-4.5V, 通过 100% 雪崩测试
PJMG10H35PDN特性
暂无产品特性。
PJMG10H35PDN应用领域
暂无应用领域。