PJMG10H25NDL
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
PJMG10H25NDL
N沟道增强型， SGT（屏蔽栅沟槽型）， VDS=100V ID=24A, RDS(ON)<26mΩ@Vgs=10V， 通过 100% 雪崩测试， 应用场景：负载开关、PWM、电源管理等
品牌
PJSEMI
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
4,815
货期
现货
PJMG10H25NDL参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4815 |
PJMG10H25NDL概述
N沟道增强型， SGT（屏蔽栅沟槽型）， VDS=100V ID=24A, RDS(ON)<26mΩ@Vgs=10V， 通过 100% 雪崩测试， 应用场景：负载开关、PWM、电源管理等
PJMG10H25NDL特性
暂无产品特性。
PJMG10H25NDL应用领域
暂无应用领域。