PJMG10H08NTE
IC
TO-252
可供量大可议
PJMG10H08NTE
1个N沟道， VDS=100V ID=8A, PD:32W RDS(ON)<100mΩ@Vgs=10V
品牌
PJSEMI
封装
TO-252
库存
70
货期
现货
PJMG10H08NTE参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
PJMG10H08NTE概述
1个N沟道， VDS=100V ID=8A, PD:32W RDS(ON)<100mΩ@Vgs=10V
PJMG10H08NTE特性
暂无产品特性。
PJMG10H08NTE应用领域
暂无应用领域。