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PJMG100N40DN
IC

PDFN-8L(5x6)

可供量大可议

PJMG100N40DN

N沟道增强型, SGT(屏蔽栅沟槽型), VDS=40V ID=95A RDS(ON)<3.9mΩ@Vgs=10V, RDS(ON)<5mΩ@Vgs=4.5V 通过 100% 雪崩测试

品牌

PJSEMI

封装

PDFN-8L(5x6)

库存

170

货期

现货

PJMG100N40DN参数

封装PDFN-8L(5x6)
品牌PJSEMI(平晶微)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存170

PJMG100N40DN概述

N沟道增强型, SGT(屏蔽栅沟槽型), VDS=40V ID=95A RDS(ON)<3.9mΩ@Vgs=10V, RDS(ON)<5mΩ@Vgs=4.5V 通过 100% 雪崩测试

PJMG100N40DN特性

暂无产品特性。

PJMG100N40DN应用领域

暂无应用领域。

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