PJMD60H12TNSA
IC
SOT-23
可供量大可议
PJMD60H12TNSA
N沟道耗尽型MOSFET， VDS=600V, ID=0.03A、RDS(on)≤120Ω@VGS=10V, PD=0.5W 内置栅源齐纳二极管， 工作结温-55~+150℃， 适用于小电流高压耗尽型应用场景
品牌
PJSEMI
封装
SOT-23
库存
2,760
货期
现货
PJMD60H12TNSA参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2760 |
PJMD60H12TNSA概述
N沟道耗尽型MOSFET， VDS=600V, ID=0.03A、RDS(on)≤120Ω@VGS=10V, PD=0.5W 内置栅源齐纳二极管， 工作结温-55~+150℃， 适用于小电流高压耗尽型应用场景
PJMD60H12TNSA特性
暂无产品特性。
PJMD60H12TNSA应用领域
暂无应用领域。