PJM9926ANPA
IC
SOP-8
可供量大可议
PJM9926ANPA
2个N沟道， VDS=20V, ID=6A, Trench工艺， 低内阻， RDS(ON) <28mΩ@Vgs=4.5V， RDS(ON) <38mΩ@Vgs=2.5V， PD(MAX. ):1.8W
品牌
PJSEMI
封装
SOP-8
库存
100
货期
现货
PJM9926ANPA参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
PJM9926ANPA概述
2个N沟道， VDS=20V, ID=6A, Trench工艺， 低内阻， RDS(ON) <28mΩ@Vgs=4.5V， RDS(ON) <38mΩ@Vgs=2.5V， PD(MAX. ):1.8W
PJM9926ANPA特性
暂无产品特性。
PJM9926ANPA应用领域
暂无应用领域。