PJM8205DNSG SOT-23-6
IC
SOT-23-6
可供量大可议
PJM8205DNSG SOT-23-6
特性：优秀的导通电阻和低栅极电荷。 先进的沟槽工艺技术。 高功率和电流处理能力。 VDS = 20V， ID = 5A， RDS(on) < 25mΩ @ VGS = 4.5V
品牌
PJSEMI
封装
SOT-23-6
库存
2,260
货期
现货
PJM8205DNSG SOT-23-6参数
| 封装 | SOT-23-6 |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2260 |
PJM8205DNSG SOT-23-6概述
特性：优秀的导通电阻和低栅极电荷。 先进的沟槽工艺技术。 高功率和电流处理能力。 VDS = 20V， ID = 5A， RDS(on) < 25mΩ @ VGS = 4.5V
PJM8205DNSG SOT-23-6特性
暂无产品特性。
PJM8205DNSG SOT-23-6应用领域
暂无应用领域。