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PJM80N68TE
IC

TO-252

可供量大可议

PJM80N68TE

1个N沟道, VDS=68V ID=80A, PD:147W RDS(ON)<8.6mΩ@Vgs=10V

品牌

PJSEMI

封装

TO-252

库存

100

货期

现货

PJM80N68TE参数

封装TO-252
品牌PJSEMI(平晶微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存100

PJM80N68TE概述

1个N沟道, VDS=68V ID=80A, PD:147W RDS(ON)<8.6mΩ@Vgs=10V

PJM80N68TE特性

暂无产品特性。

PJM80N68TE应用领域

暂无应用领域。

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