PJM7002KNSI
IC
SOT-323
可供量大可议
PJM7002KNSI
特性：高密度单元设计， 实现低导通电阻。 电压控制小信号开关。 高饱和电流能力。 静电放电（HBM）防护高达2.5KV。 漏源电压为60V， 漏极电流为0.34A， 栅源电压为10V时， 导通电阻小于5Ω。 应用：DC/DC转换器。 便携式设备负载开关
品牌
PJSEMI
封装
SOT-323
库存
2,100
货期
现货
PJM7002KNSI参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2100 |
PJM7002KNSI概述
特性：高密度单元设计， 实现低导通电阻。 电压控制小信号开关。 高饱和电流能力。 静电放电（HBM）防护高达2.5KV。 漏源电压为60V， 漏极电流为0.34A， 栅源电压为10V时， 导通电阻小于5Ω。 应用：DC/DC转换器。 便携式设备负载开关
PJM7002KNSI特性
暂无产品特性。
PJM7002KNSI应用领域
暂无应用领域。