PJM65N40DN
IC
PDFN-8L(5x6)
可供量大可议
PJM65N40DN
N沟道增强型， Trench（沟槽型）， VDS=40V ID=65A, RDS(ON)<9mΩ@Vgs=10V， 通过 100% 雪崩测试， 极低的导通阻抗和低栅极电荷（Qg), 应用场景：电池保护、负载开关、UPS等
品牌
PJSEMI
封装
PDFN-8L(5x6)
库存
180
货期
现货
PJM65N40DN参数
| 封装 | PDFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 180 |
PJM65N40DN概述
N沟道增强型， Trench（沟槽型）， VDS=40V ID=65A, RDS(ON)<9mΩ@Vgs=10V， 通过 100% 雪崩测试， 极低的导通阻抗和低栅极电荷（Qg), 应用场景：电池保护、负载开关、UPS等
PJM65N40DN特性
暂无产品特性。
PJM65N40DN应用领域
暂无应用领域。