PJM65H0D5NSA
IC
SOT-23-3
可供量大可议
PJM65H0D5NSA
N沟道， VDS=650V ID=50mA, PD:1.39W RDS(ON)<175Ω@Vgs=10V
品牌
PJSEMI
封装
SOT-23-3
库存
8,720
货期
现货
PJM65H0D5NSA参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8720 |
PJM65H0D5NSA概述
N沟道， VDS=650V ID=50mA, PD:1.39W RDS(ON)<175Ω@Vgs=10V
PJM65H0D5NSA特性
暂无产品特性。
PJM65H0D5NSA应用领域
暂无应用领域。