PJM65H02CNTE
IC
TO-252
可供量大可议
PJM65H02CNTE
1个N沟道， VDS=650V ID=2A, PD:35W RDS(ON)<5.3Ω@Vgs=10V
品牌
PJSEMI
封装
TO-252
库存
100
货期
现货
PJM65H02CNTE参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
PJM65H02CNTE概述
1个N沟道， VDS=650V ID=2A, PD:35W RDS(ON)<5.3Ω@Vgs=10V
PJM65H02CNTE特性
暂无产品特性。
PJM65H02CNTE应用领域
暂无应用领域。