PJM65DN30DN
IC
PDFN-8L(5x6)
可供量大可议
PJM65DN30DN
2个N沟道， Trench（沟槽型）， VDS=30V ID=65A RDS(ON)<8.5m@Vgs=10V, RDS(ON)<14.5mΩ@Vgs=4.5V, 通过 100% 雪崩测试
品牌
PJSEMI
封装
PDFN-8L(5x6)
库存
200
货期
现货
PJM65DN30DN参数
| 封装 | PDFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
PJM65DN30DN概述
2个N沟道， Trench（沟槽型）， VDS=30V ID=65A RDS(ON)<8.5m@Vgs=10V, RDS(ON)<14.5mΩ@Vgs=4.5V, 通过 100% 雪崩测试
PJM65DN30DN特性
暂无产品特性。
PJM65DN30DN应用领域
暂无应用领域。