PJM60P30DL
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
PJM60P30DL
P沟道增强型， Trench（沟槽型）， VDS=-30V ID=-60A, RDS(ON)<13mΩ@Vgs=-10V, RDS(ON)<20mΩ@Vgs=-4.5V， 通过 100% 雪崩测试
品牌
PJSEMI
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
300
货期
现货
PJM60P30DL参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 300 |
PJM60P30DL概述
P沟道增强型， Trench（沟槽型）， VDS=-30V ID=-60A, RDS(ON)<13mΩ@Vgs=-10V, RDS(ON)<20mΩ@Vgs=-4.5V， 通过 100% 雪崩测试
PJM60P30DL特性
暂无产品特性。
PJM60P30DL应用领域
暂无应用领域。