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PJM60N20TE
IC

TO-252

可供量大可议

PJM60N20TE

N沟道, VDS=20V ID=60A, PD:37W RDS(ON)<6mΩ@Vgs=4.5V

品牌

PJSEMI

封装

TO-252

库存

100

货期

现货

PJM60N20TE参数

封装TO-252
品牌PJSEMI(平晶微)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存100

PJM60N20TE概述

N沟道, VDS=20V ID=60A, PD:37W RDS(ON)<6mΩ@Vgs=4.5V

PJM60N20TE特性

暂无产品特性。

PJM60N20TE应用领域

暂无应用领域。

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