PJM60H12MNSA
IC
SOT-23
可供量大可议
PJM60H12MNSA
耗尽型MOSFET, 1个N沟道， 600V 30mA, 0.5W, RDS(ON)<700Ω@Vgs=0v, RDS(ON)<800Ω@Vgs=10v
品牌
PJSEMI
封装
SOT-23
库存
10
货期
现货
PJM60H12MNSA参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
PJM60H12MNSA概述
耗尽型MOSFET, 1个N沟道， 600V 30mA, 0.5W, RDS(ON)<700Ω@Vgs=0v, RDS(ON)<800Ω@Vgs=10v
PJM60H12MNSA特性
暂无产品特性。
PJM60H12MNSA应用领域
暂无应用领域。