PJM60H02NTE
IC
TO-252
可供量大可议
PJM60H02NTE
1个N沟道， VDS=600V ID=2A, PD:35W RDS(ON)<4.3mΩ@Vgs=10V, 开关速度快， 低的Qg， 导通电阻小， 反向传输电容小
品牌
PJSEMI
封装
TO-252
库存
95
货期
现货
PJM60H02NTE参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
PJM60H02NTE概述
1个N沟道， VDS=600V ID=2A, PD:35W RDS(ON)<4.3mΩ@Vgs=10V, 开关速度快， 低的Qg， 导通电阻小， 反向传输电容小
PJM60H02NTE特性
暂无产品特性。
PJM60H02NTE应用领域
暂无应用领域。