PJM50P30DN
IC
PDFN-8L(5x6)
可供量大可议
PJM50P30DN
P沟道增强型， Trench（沟槽型）， VDS=-30V ID=-50A, RDS(ON)<7.5mΩ@Vgs=-10V, RDS(ON)<12mΩ@Vgs=-4.5V， 通过 100% 雪崩测试
品牌
PJSEMI
封装
PDFN-8L(5x6)
库存
180
货期
现货
PJM50P30DN参数
| 封装 | PDFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 180 |
PJM50P30DN概述
P沟道增强型， Trench（沟槽型）， VDS=-30V ID=-50A, RDS(ON)<7.5mΩ@Vgs=-10V, RDS(ON)<12mΩ@Vgs=-4.5V， 通过 100% 雪崩测试
PJM50P30DN特性
暂无产品特性。
PJM50P30DN应用领域
暂无应用领域。