PJM50N60DL
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
PJM50N60DL
N沟道增强型， Trench（沟槽型）， VDS=60V ID=50A, RDS(ON)<16.5mΩ@Vgs=10V, RDS(ON)<19.5mΩ@Vgs=4.5V， 通过 100% 雪崩测试
品牌
PJSEMI
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
295
货期
现货
PJM50N60DL参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 295 |
PJM50N60DL概述
N沟道增强型， Trench（沟槽型）， VDS=60V ID=50A, RDS(ON)<16.5mΩ@Vgs=10V, RDS(ON)<19.5mΩ@Vgs=4.5V， 通过 100% 雪崩测试
PJM50N60DL特性
暂无产品特性。
PJM50N60DL应用领域
暂无应用领域。