PJM50C30DN
IC
PDFN-8L(5x6)
可供量大可议
PJM50C30DN
特性：先进的沟槽技术。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准。 无卤素和锑。 防潮等级3。 应用：锂电池保护。 无线冲击
品牌
PJSEMI
封装
PDFN-8L(5x6)
库存
500
货期
现货
PJM50C30DN参数
| 封装 | PDFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 500 |
PJM50C30DN概述
特性：先进的沟槽技术。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准。 无卤素和锑。 防潮等级3。 应用：锂电池保护。 无线冲击
PJM50C30DN特性
暂无产品特性。
PJM50C30DN应用领域
暂无应用领域。