PJM30P60DN
IC
PDFN-8L(5x6)
可供量大可议
PJM30P60DN
P沟道增强型， Trench（沟槽型）， VDS=-60V ID=-30A, RDS(ON)<25mΩ@Vgs=-10V, RDS(ON)<33mΩ@Vgs=-4.5V， 通过 100% 雪崩测试
品牌
PJSEMI
封装
PDFN-8L(5x6)
库存
135
货期
现货
PJM30P60DN参数
| 封装 | PDFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 135 |
PJM30P60DN概述
P沟道增强型， Trench（沟槽型）， VDS=-60V ID=-30A, RDS(ON)<25mΩ@Vgs=-10V, RDS(ON)<33mΩ@Vgs=-4.5V， 通过 100% 雪崩测试
PJM30P60DN特性
暂无产品特性。
PJM30P60DN应用领域
暂无应用领域。