PJM30DN30DL
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
PJM30DN30DL
2个N沟道合封增强型MOSFET， Trench（沟槽型）， VDS=30V, ID=28A, RDS(ON)<9.5mΩ@Vgs=10V， 通过 100% 雪崩测试， 应用场景：负载开关， 电池保护， UPS等
品牌
PJSEMI
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
300
货期
现货
PJM30DN30DL参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 300 |
PJM30DN30DL概述
2个N沟道合封增强型MOSFET， Trench（沟槽型）， VDS=30V, ID=28A, RDS(ON)<9.5mΩ@Vgs=10V， 通过 100% 雪崩测试， 应用场景：负载开关， 电池保护， UPS等
PJM30DN30DL特性
暂无产品特性。
PJM30DN30DL应用领域
暂无应用领域。