PJM30C30DL
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
PJM30C30DL
1个N沟道+1个P沟道合封互补型MOSFET， Trench（沟槽型）， N-MOS:30V/28A, RDS(ON)<13mΩ@Vgs=10V; P-MOS:-30V/-32A, RDS(ON)<18mΩ@Vgs=-10V， 通过 100% 雪崩测试， 应用场景：电源管理、无刷电机驱动、便携式电子产品等
品牌
PJSEMI
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
290
货期
现货
PJM30C30DL参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 290 |
PJM30C30DL概述
1个N沟道+1个P沟道合封互补型MOSFET， Trench（沟槽型）， N-MOS:30V/28A, RDS(ON)<13mΩ@Vgs=10V; P-MOS:-30V/-32A, RDS(ON)<18mΩ@Vgs=-10V， 通过 100% 雪崩测试， 应用场景：电源管理、无刷电机驱动、便携式电子产品等
PJM30C30DL特性
暂无产品特性。
PJM30C30DL应用领域
暂无应用领域。