PJM20H05NTE
IC
TO-252
可供量大可议
PJM20H05NTE
1个N沟道， VDS=200V ID=5A, PD:40W RDS(ON)<3Ω@Vgs=4.5V， 开关速度快， 低的Qg， 反向传输电容小
品牌
PJSEMI
封装
TO-252
库存
2,065
货期
现货
PJM20H05NTE参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2065 |
PJM20H05NTE概述
1个N沟道， VDS=200V ID=5A, PD:40W RDS(ON)<3Ω@Vgs=4.5V， 开关速度快， 低的Qg， 反向传输电容小
PJM20H05NTE特性
暂无产品特性。
PJM20H05NTE应用领域
暂无应用领域。