PJM20H02ANSC
IC
SOT-23-3
可供量大可议
PJM20H02ANSC
N沟道， VDS=200V ID=1.5A, PD:1.25W RDS(ON)<700mΩ@Vgs=10V
品牌
PJSEMI
封装
SOT-23-3
库存
180
货期
现货
PJM20H02ANSC参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 180 |
PJM20H02ANSC概述
N沟道， VDS=200V ID=1.5A, PD:1.25W RDS(ON)<700mΩ@Vgs=10V
PJM20H02ANSC特性
暂无产品特性。
PJM20H02ANSC应用领域
暂无应用领域。