PJM15C30DL
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
PJM15C30DL
N+P 沟道增强型， Trench（沟槽型）， N-MOS:30V/18A, RDS(ON)<13mΩ@Vgs=10V; P-MOS:-30V/-13A, RDS(ON)<28mΩ@Vgs=-10V， 通过 100% 雪崩测试
品牌
PJSEMI
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
300
货期
现货
PJM15C30DL参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | PJSEMI(平晶微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 300 |
PJM15C30DL概述
N+P 沟道增强型， Trench（沟槽型）， N-MOS:30V/18A, RDS(ON)<13mΩ@Vgs=10V; P-MOS:-30V/-13A, RDS(ON)<28mΩ@Vgs=-10V， 通过 100% 雪崩测试
PJM15C30DL特性
暂无产品特性。
PJM15C30DL应用领域
暂无应用领域。