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PJM150N30TE
IC

TO-252

可供量大可议

PJM150N30TE

1个N沟道, VDS=30V ID=150A, PD:72W RDS(ON)<3.4mΩ@Vgs=10V

品牌

PJSEMI

封装

TO-252

库存

95

货期

现货

PJM150N30TE参数

封装TO-252
品牌PJSEMI(平晶微)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存95

PJM150N30TE概述

1个N沟道, VDS=30V ID=150A, PD:72W RDS(ON)<3.4mΩ@Vgs=10V

PJM150N30TE特性

暂无产品特性。

PJM150N30TE应用领域

暂无应用领域。

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