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PJM138NSA
IC

SOT-23

可供量大可议

PJM138NSA

特性:SOT-23封装。 坚固可靠。 低栅极电荷和低导通电阻RDS(on)。 ESD保护(HBM)高达2KV。 VDS = 50V, Id = 0.22A, RDS(on) < 3.5Ω @ VGS = 10V。 应用:固态继电器。 电池供电系统

品牌

PJSEMI

封装

SOT-23

库存

3,280

货期

现货

PJM138NSA参数

封装SOT-23
品牌PJSEMI(平晶微)
MOQ / SPQ1 / 20
分类场效应管(MOSFET)
库存3280

PJM138NSA概述

特性:SOT-23封装。 坚固可靠。 低栅极电荷和低导通电阻RDS(on)。 ESD保护(HBM)高达2KV。 VDS = 50V, Id = 0.22A, RDS(on) < 3.5Ω @ VGS = 10V。 应用:固态继电器。 电池供电系统

PJM138NSA特性

暂无产品特性。

PJM138NSA应用领域

暂无应用领域。

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