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PJM10H15NTE
IC

TO-252

可供量大可议

PJM10H15NTE

1个N沟道, VDS=100V ID=15A, PD:46W RDS(ON)<100mΩ@Vgs=10V

品牌

PJSEMI

封装

TO-252

库存

65

货期

现货

PJM10H15NTE参数

封装TO-252
品牌PJSEMI(平晶微)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存65

PJM10H15NTE概述

1个N沟道, VDS=100V ID=15A, PD:46W RDS(ON)<100mΩ@Vgs=10V

PJM10H15NTE特性

暂无产品特性。

PJM10H15NTE应用领域

暂无应用领域。

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